Content View

China's Tsinghua Unigroup Set to Join State-of-the-art DRAM Technology Race

April 13, 2017 10:20lApril 13, 2017 10:41
facebook twitter print
China's Tsinghua Unigroup will set out to develop state-of-the-art 18-nanometer-linewidth DRAM chips. According to Taiwan's DigiTimes, Charles Kau, CEO of Yangtze Memory Technologies Co., said on April 12, "We are reviewing a plan to develop 18-20-nm DRAMs." The company is owned by Tsinghua Unigroup and the Hebei IC Industry Investment Fund on a 51:49 basis.

Yangtze Memory had tried in vain to join with leading DRAM makers such as Micron Technology and SK Hynix for technology tie-up. DRAMs, consisting of transistors and capacitors, are generally hard to produce than NAND flash chips.

The Chinese company has focused on developing 3D NAND flash memory chips. Mr. Kau, who had been with Taiwan's memory chip producers including Nanya and Inotera Memories, joined Yangtze in February this year. He said, "We will introduce 32-layer 3D NAND flash memory samples by the year's end and develop 64-layer NAND memories. The technological gap with industry leaders such as Samsung Electronics is not so wide."

realist@hankyung.com
중국 칭화유니그룹이 최첨단 18나노미터(㎚) D램 개발에 나선다.

대만 디지타임스에 따르면 창장메모리(YMTC)의 찰스 카우 최고경영자(CEO)는 12일 “18~20나노 D램을 자체 개발하는 방안을 검토하고 있다”고 밝혔다. 이 회사는 칭화유니가 51%, 허베이 IC산업투자펀드 등이 49% 지분을 보유하고 있다.

창장메모리는 그동안 D램 기술 확보를 위해 마이크론, SK하이닉스 등에 기술제휴를 타진했으나 성공하지 못했다. 트랜지스터와 커패시터로 구성되는 D램은 트랜지스터 하나로 구성된 낸드플래시보다 만들기 어렵다.

창장메모리는 3차원(3D) 낸드플래시를 개발해왔다. 대만의 메모리회사인 난야, 이노테라의 CEO를 지내다 지난 2월 부임한 카우 CEO는 “올해 말 32단 3D 낸드플래시 샘플을 선보인 뒤 64단 낸드플래시도 개발할 것”이라며 “(삼성전자 등) 세계적인 메모리회사와의 격차가 크지 않다”고 강조했다.

김현석 기자 realist@hankyung.com